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高速率光芯片技术壁垒高光芯片行业受益于国产替代

高速率光芯片技术壁垒高光芯片行业受益于国产替代

来源:极速体育nba    发布时间:2025-04-30 09:24:41 1
。根据 C&C 的测算,2024 年全球光芯片市场迎来强劲复苏,增速有望超过 50%,2023-2027 年,全球光芯片市场的年复合增长率将达到 14.86%。高速率光芯片市场的上涨的速度

  。根据 C&C 的测算,2024 年全球光芯片市场迎来强劲复苏,增速有望超过 50%,2023-2027 年,全球光芯片市场的年复合增长率将达到 14.86%。高速率光芯片市场的上涨的速度将远高于中低速率光芯片。全及以上高速率光芯片市场增长迅速。根据 Omdia 对数据中心和电信场景激光器芯片的预测,高速率光芯片增速较快,2019-2025 年,25G 以上速率光模块所使用的光芯片占比逐渐扩大。

  1)AI 带动光通信产品结构变化,对高速光通信解决方案的需求持续增长,从以 25Gbps 为主流的芯片时代,迈向 100Gbps 时代,正推动 200Gbps 光芯片的规模商用。

  2)AI 带动数据中心、电信运营商城域网络扩张,以及接入网市场转向更高速率的 50G PON 迈进,逐步推动光芯片的市场成长空间。

  3)更多厂商在高速光芯片领域的技术突破和产能扩张,推动光通信技术向更多领域延展。在传感领域,如环境监视测定、气体检测,光芯片被用作传感器,能够检测光信号并转换为电信号,用于数据采集和分析。

  在汽车领域,随着传统乘用车的电动化、智能化发展,高级别的辅助驾驶技术逐步普及,核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的光芯片作为激光雷达的核心部件,其未来的市场需求将会不断增加。

  我国政府在光电子技术产业进行重点政策布局。《“十四五”信息通信行业发展规划》指明信息基础设施建设的目标,要求全面部署新一代通信网络基础设施,全方面推进 5G 移动通信网络、千兆光纤网络、骨干网、IPv6、移动物联网、卫星通信网络等的建设或升级;统筹优化数据中心布局,构建绿色智能、互通共享的数据与算力设施;积极发展工业互联网和车联网等融合基础设施。

  工信部发布的《基础电子元器件产业高质量发展行动计划(2021-2023 年)》中提出,重点发展高速光通信芯片、高速高精度光探测器、高速直调和外调制激光器、高速调制器芯片、高功率激光器、光传输用数字信号处理器芯片、高速驱动器和跨阻抗放大器芯片。

  中国电子元件行业协会发布《中国光电子器件产业技术发展路线 年)》,明确争取到 2027年,我国本土企业的光电子器件销售总额达到 7300 亿元;骨干企业的研发投入占据营业收入总额的比重达到 8%以上;产业体系进一步调整,产业链配套能力有所提升,公司竞争实力显著地增强,标准化水平大幅度提高。在规划目标落地的过程中,光芯片需求量也将不断增长。

  随着信息技术的加快速度进行发展,全球数据量需求持续增长。根据爱立信的测算,2023-2029 年,不包括固定无线接入(FWA)产生的流量,预计全球移动数据流量将增长约 3 倍,到 2029 年每月达到 313EB;当包括 FWA 时,预计总移动网络流量将增长约 3.5 倍,到 2029 年每月上升到466EB。5G在移动数据流量中的份额在2023年末为25%,比2022年末的17%增加8pct。预计到 2029 年,5G 在移动数据流量中的份额将增长到大约 75%。2023-2029 年移动数据流量预计将以大约 20%的复合年增长率增长。

  光芯片应用场景升级,光芯片需求持续增长。在不断满足高带宽、高速率要求的同时,光芯片下游应用市场不断拓展。当前光芯片主要使用在场景包括数据中心、4G/5G 移动通信网络、光纤接入等,都处于速率升级、代际更迭的关键窗口期。光芯片的应用逐渐从光通信拓展至医疗、消费电子和车载激光雷达等更广阔的应用领域。

  3、电信市场:5G 网络建设及商用化促进电信侧高端光芯片需求,千兆光纤网络升级推动光芯片用量提升

  电信市场的发展将带动电信侧光芯片应用需求的增加。5G 移动通信网络提供更高的传输速率和更低的时延,各级光传输节点间的光端口速率显著提升,要求光模块能够承载更高的速率。5G 移动通信网络可大致分为前传、中传、回传,光模块可按应用场景分为前传、中回传光模块,前传光模块速率需达到 25G,中回传光模块速率则需达到 50G/100G/200G/400G,带动 25G 甚至更高速率光芯片的市场需求。根据 LightCounting 的数据,全球电信侧光模块市场前传、(中)回传和核心波分市场需求将持续上升,预计到 2025 年,将分别达到 5.88 亿美元、2.48 亿美元和 25.18 亿美元。

  千兆光纤网络升级推动光芯片用量提升。FTTx 光纤接入是全球光模块用量最多的场景之一,而我国是 FTTx 市场的主要推动者。受制于电通信电子器件的带宽限制、损耗较大、功耗较高等,运营商逐步替换铜线网络为光纤网络。全球运营商骨干网和城域网已实现光纤化,部分地区接入网已逐渐向全网光纤化演进。

  PON(无源光网络)技术是实现 FTTx 的最佳技术方案之一,PON 是指 OLT(光线路终端,用于数据下传)和 ONU(光网络单元,用于数据上传)之间的 ODN(光分配网络)全部采用无源设备的光接入网络,是点到多点结构的无源光网络。PON 技术传输容量大,相对成本低,维护简单,有很好的可靠性、稳定性、保密性,已被证明是当前光纤接入中经济有效的方式,成为光纤接入技术主流。

  当前主流的 EPON/GPON 技术采用 1.25G/2.5G 光芯片,并向 10G 光芯片过渡。10G PON 技术上的支持数据上下传速率对称10Gbps,能够更好地满足各类高速宽带业务应用的接入网络需求。随着新代际 PON 的应用逐渐推广,LightCounting 预计 2025 年全球 FTTx 光模块市场出货量将达到 9208 万只,年复合增长率为 7.92%,市场规模达到 6.31 亿美元,年复合增长率为 5.93%。

  “双千兆”网络发展推动光纤网络建设,为我国光芯片产业高质量发展带来良好机遇。截至 2024年年底,我国光纤接入(FTTH/O)端口达到 11.6 亿个,占互联网宽带接入端口的 96.5%;具备千兆网络服务能力的 10G PON 端口数达 2820 万个,比 2023 年末净增 518.3 万个。

  根据《“十四五”信息通信行业发展规划》,在持续推进光纤覆盖范围的同时,我国要求全面部署千兆光纤网络。以 10G PON 技术为基础的千兆光纤网络具备“全光联接,海量带宽,极致体验”的特点,将在云化虚拟现实(Cloud VR)、超高清视频、智慧家庭、在线教育、远程医疗等场景部署,引导用户向千兆速率宽带升级。

  PON 技术的进步和高速率电信模块推动高端光芯片用量增长。当前 PON 技术跨入以 10GPON 技术为代表的双千兆时代,10G PON 需求迅速增加及未来 25G/50G PON 的出现将驱动10G 以上高速光芯片用量需求大幅度的增加。同时,移动通信网络市场,随着 4G 向 5G 的过渡,无线G,电信模块将进入高速率时代。

  中回传将更加广泛采用长距离 10km-80km 的10G、25G、50G、100G、200G光模块,该类高速率模块中将需要采用对应的 10G、25G、50G 等高速率和更长适用距离的光芯片,推动高端光芯片用量增加。

  我国云计算产业持续景气,云计算厂商建设大型及超大型数据中心不断加速。据中国信通院统计,2023 年我国云计算市场规模达 6165 亿元,同比增长 35.5%,大幅高于全球增速。其中,公有云市场规模4562亿元,同比增长40.1%;私有云市场规模1563亿元,同比增长20.8%。随着 AI 原生带来的云计算技术革新以及大模型规模化应用落地,我国云计算产业高质量发展将迎来新一轮增长,预计到 2027 年我国云计算市场规模将超过 2.1 万亿元。

  政策层面,我国政府将云计算作为产业转型的重要方向,积极推动云计算、数据中心的发展。2023 年,算力中心机架规模稳步增长,我国在用算力中心机架总规模超 810 万标准机架,算力基础设施建设带动光芯片市场需求的持续增长。

  光芯片作为光模块核心元件有望持续受益。光电子、云计算技术等不断成熟,将促进更多终端应用需求出现,并对通信技术提出更高的要求。光通信技术在数据中心领域得到普遍的应用,极大程度提高其计算能力和数据交换能力。光模块是数据中心内部互连和数据中心相互连接的核心部件,受益于信息应用流量需求的增长和光通信技术的升级,光模块作为光通信产业链最重要的器件保持持续增长。

  LightCounting预计全球光模块市场在2024-2028年将以15%的年复合增长率扩张。对 AI 集群应用中以太网光模块的强劲需求将是增长的重要的因素,云厂商运营的 DWDM 网络的升级也将促进总量增长。数据中心内部用光模块主要为以太网光模块,LightCounting 预计以太网光模块市场 2024 年增长 40%,2025 年增长超过 20%,2026-2027年实现两位数增长。高速率光模块需求的增长将带动 25G 及以上速率光芯片需求。

  1.6T 光模块批量商用的进程对光芯片提出更加高的要求。AI 推动模块升级,单通道速率逐步提升。随着 AI 技术的加快速度进行发展,对算力的需求迅速增长,逐步推动 1.6T 光模块的发展,预计 1.6T 乃至更高速率的光模块将成为数据中心内部连接的新技术趋势,以配合未来更大带宽、更高算力的 GPU 需求。目前 1.6T 光模块批量商用的进程正在加速,这一趋势对光芯片提出更高的要求,包括 200G PAM4 EML、CW 光源等在内的多种芯片将成为 1.6T 光模块中光芯片的解决方案。

  5、下游光模块厂商布局硅光方案,硅光技术慢慢的变成为提升成本效率重要方案之一

  下游光模块厂商布局硅光方案。大功率、小发散角、宽工作时候的温度 DFB 激光器芯片将被大范围的应用。硅光方案中,激光器芯片仅作为外置光源,硅基芯片承担速率调制功能,因此需将激光器芯片发射的光源耦合至硅基材料中。凭借高度集成的制程优势,硅基材料能够整合调制器和无源光路,以此来实现调制功能与光路传导功能的集成。随着电信骨干网络和数据中心流量迅速增加,更高速率光模块的市场需求不断凸显。

  传统技术主要是通过多通道方案实现 100G 以上光模块速度的提升,然而随着数据中心、核心骨干网等场景进入到 800G/400G 及更高速率时代,单通道所需的激光器芯片速率要求将随之提高,利用 CMOS 工艺进行光器件开发和集成的新一代硅光技术成为一种趋势。

  硅光技术慢慢的变成为提升成本效率重要方案之一。硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料,利用现有 CMOS 工艺进行光器件开发和集成的新一代技术。AI 的崛起导致对光模块速率和数量的需求量开始上涨,降本降功耗更为迫切,这导致客户对硅光的接受度有望提升。LightCounting 预计使用基于 SiP 的光模块市场占有率将从 2022 年的 24%增加到 2028 年的 44%,LPO 有望加速硅光渗透率逐步提升。硅光方案中,CW 激光器芯片作为外置光源,硅基芯片承担速率调制功能。CW 大功率激光器芯片,要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作时候的温度的性能指标,对激光器芯片要求更高。

  硅光最主要、最直接的应用场景是数据中心,英特尔在该领域占据主导地位。在电信领域、光学激光雷达、量子计算、光计算以及在医疗保健领域,硅光都有广阔的发展前途。Yole 指出,2022 年,硅光芯片市场价值为 6800 万美元,预计到 2028 年将超过 6 亿美元,2022-2028 年的年复合增长率为 44%。这一增长主要受高速数据中心互联和机器学习所需的 800G 可插拔光模块的需求推动。

  光芯片下游直接客户为光模块厂商,近年来,我国光模块厂商在技术、成本、市场、运营等方面的优势逐渐凸显,占全球光模块市场的份额逐步提升。根据 LightCounting 的统计,2023年我国厂商中已有中际旭创、华为(海思)、光迅科技、海信宽带、新易盛、华工正源、索尔思光电进入全球前十大光模块厂商。光通信产业链逐步向国内转移,同时中美贸易摩擦及芯片国产化趋势,将促进产业链上游国内光芯片的市场需求。

  中美贸易摩擦加快进口替代进程,国产光芯片蓄势待发。随着中美贸易摩擦一直在升级,双方在技术领域的竞争愈发激烈,美国加强政策约束,对诸多商品征收关税,并加大对部分中国企业的限制,先进芯片进口受限。由于高端光芯片技术门槛高,我国 25G 及以上高速率激光器芯片国产化率较低,国内企业主要依赖于美日领先企业进口。在中美贸易关系存在较大不确定的背景下,国内公司开始测试并验证国内的光芯片产品,寻求国产化替代,将促进光芯片行业的自主化进程。

  美日等发达国家光芯片技术领先,我国光芯片企业追赶较快,目前全球市场由美中日三国占据主导地位。我国部分光芯片企业已具备领先水平,随技术提升和市场地位提高,竞争力将逐渐增强。我国光芯片市场规模增速领先,占全球市场占有率持续提升。

  欧美日国家光芯片行业起步较早、技术领先。光芯片主要使用光电子技术,海外在近代光电子技术起步较早、积累较多,欧美日等发达国家陆续将光子集成产业列入国家发展的策略规划,其中,美国建立“国家光子集成制造创新研究所”,打造光子集成器件研发制备平台;欧盟实施“地平线”计划,集中部署光电子集成研究项目;日本实施“先端研究开发计划”,部署光电子融合系统技术开发项目。

  海外光芯片企业具有先发优势,通过积累核心技术及生产的基本工艺,逐步实现产业闭环,建立起较高的行业壁垒。海外光芯片公司普遍具有从光芯片、光收发组件、光模块全产业链覆盖能力。除衬底需要对外采购,海外领先光芯片企业可自行完成芯片设计、晶圆外延等关键工序,可量产 25G 及以上速率光芯片。目前 25G 及以上速率的光芯片(尤其是激光器芯片)市场主要参与者为欧美、日本等厂商,例如:美国的 Lumentum、II-VI、博通,日本的三菱、住友等。此外,海外领先光芯片企业在高端通信激光器领域已经广泛布局,在可调谐激光器、超窄线宽激光器、大功率激光器等领域已有深厚积累。

  我国光芯片发展以国产替代为目标,政策支持促进产业高质量发展。国内的光芯片生产商普遍具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力,而光芯片核心的外延技术并不成熟,高端的外延片需向国际外延厂进行采购,限制了高端光芯片的发展。以激光器芯片为例,我国能够规模量产 10G及以下中低速率激光器芯片,但 25G 激光器芯片仅少部分厂商实现批量发货,25G 以上速率激光器芯片大部分厂商仍在研发或小规模试产阶段。

  整体来看高速率光芯片严重依赖进口,与国外产业领先水平存在一定差距。具体来看,我国光芯片企业已基本掌握 2.5G 及以下速率光芯片的核心技术,2021 年该速率国产光芯片占全球比重超过 90%;10G 光芯片方面,2021 年国产光芯片占全球比重约 60%,但不同光芯片的国产化情况存在一定差别,部分 10G 光芯片产品性能要求比较高、难度较大,如 10G VCSEL/EML 激光器芯片等,国产化率不到 40%;25G及以上光芯片方面,随着 5G 建设推进,我国光芯片厂商在应用于 5G 基站前传光模块的 25GDFB 激光器芯片有所突破,数据中心市场光模块公司开始逐步使用国产厂商的 25G DFB 激光器芯片,2021 年 25G 光芯片的国产化率约 20%,但 25G 以上光芯片的国产化率约 5%,目前仍以海外光芯片厂商为主。

  随着全球信息互联规模逐步扩大,光电信息技术正在崛起。在这种趋势下,光芯片的下游应用场景继续扩展,需求量持续不断的增加,同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的研发技术、工艺设计具有更高开发难度与门槛。首先,随着需求提升,光芯片的结构设计的精度要求极高,研发技术及工艺开发需结合高速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科,设计合适的芯片结构,满足芯片精度及尺寸的要求。其次,激光器芯片的生产需要几十至几百道工序,每道生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性,因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。

  此外,高速率激光器芯片相较于中低速率产品,在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的设计与开发上,需考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素,因此存在极高壁垒。在数据中心市场中,尤其是以 AI 为代表的应用拉动了 400G/800G 或以上高速光模块的需求增加,进而带动了高速率、大功率的芯片需求,比如100G PAM4 EML 光芯片、70mW、100mW 大光功率激光器等。

  目前数据中心市场以海外厂商为主,国内厂商加速追赶。源杰科技基于多年在光芯片领域的研发和生产积累,已推出相应的高速 EML、大功率激光器产品,在单波或多波长的CWDM、LWDM需求方面,适配相关的高速光模块的需求,且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。长光华芯近期发布的200G EML配套产品和70mW CWDM4CW Laser 光芯片新品,是国内厂家首次公开发布的产品,代表着国产化高端光芯片的重大技术突破,填补了国内高端芯片的供应链短缺和国产化空白。

  在电信市场中,目前所需的 2.5G、10G 激光器芯片市场国产化程度较高,但不同波段产品应用场景不同,工艺难度差异大;未来25G/50G PON接入网对光芯片的要求也将逐步提升,大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛。

  随着我国光模块行业的加快速度进行发展,产业链和价值链逐渐由低端向高端过渡,具备长期的景气度,光芯片作为光器件的核心零部件,国产化率正不断提升。

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